- Hız: Devrede kullanılan BAT43 Schottky diyotlar, transistörlerin doyuma (saturation) girmesini engelleyerek anahtarlama hızını ciddi oranda artırır.
- Çıkış Katı: BC639 ve BC640 transistörlerinden oluşan tamamlayıcı (complementary) yapı, MOSFET'in "gate" kapasitesini hızlıca doldurup boşaltmak için gerekli akımı sağlar.
- Direnç Değerleri: Şemadaki 8.2 Ohm (R8) çıkış direnci, gate üzerindeki salınımları (ringing) sönümlemek için ideal bir değerdir.
Sürücünün tepe çıkış akımı, yükselme ve düşme süresiyle birlikte kullanılabilirliğin sınırlayıcı değerlerinden biri olan 1,5 A'den azdır.
Son düzenleme:
