Bas Güçlendirme Devresi
Aşağıda Bass Boost'un açıklaması ve devre şeması bulunmaktadır
Bu bas güçlendirici devresinin tamamı bir npn transistör ve operasyonel amplifikatör etrafında inşa edilmiş ve üretilmiştir. Bas güçlendirici iki ana bölüme ayrılmıştır: Bir bölüm daha yüksek frekansları atlamak için, diğer bölüm ise güçlendirici bölümdür.
Ön amplifikatör devresinden gelen giriş sinyali, yüksek frekansların C1 kondansatöründen , düşük frekansların ise R1 kondansatöründen geçeceği bas güçlendiricinin giriş noktasına verilir . IC1 , düşük frekansları güçlendirmek için kullanılır. Değişken direnç VR2 , güçlendirme seviyesini kontrol etmek için kullanılır. Burada verilen SW1 anahtarı , güçlendirme etkisini ortadan kaldırmak için kullanılır.

Değişken direnç VR1'in ayarlanmasıyla çıkışta oluşabilecek aşırı yüklenmeler kontrol altına alınabilir.
NOT: Herhangi bir bozulmanın yaşanmaması için topraklamanın mükemmel bir şekilde yapılması gerekmektedir.
PARÇA LİSTESİ
Dirençler (hepsi ¼ watt, ± %5 Karbon)
R 1 = 150 KΩ
R 2 = 680 Ω
R 3 = 100 KΩ
R 4 = 220 KΩ
R 5 = 10 Ω
R 6 = 2,2 KΩ
VR 1 = 1KΩ
VR 2 = 10 KΩ
Kondansatörler
C 1 , C 2 , C 3 = 0,01 µF
C 4 = 10 µF/16V
C 5 , C 6 = 10 µF/12V
Yarı iletkenler
IC 1 = µA751
T 1 = BC148
Çeşitli
SW 1 = AÇIK/Kapalı anahtarı