Merhaba arkadaşlar,
Ev yapımı (DIY) profesyonel ses sistemleri ve sahne amfileri ile ilgilenenlerin çok beğeneceğini düşündüğüm, yüksek güç ve performans odaklı Matrix 1.4 - VDBL amplifikatör devresini sizlerle paylaşıyorum.
Heru Himawan Tejo Laksono tarafından tasarlanan bu devre, dinamik bootstrap yüklemeli (Dynamic Bootstrapped Loader) Voltaj Amplifikasyon Katına (V.A.S) sahiptir. Özellikle 2 Ohm gibi çok düşük empedanslı hoparlör yüklerinde dahi kararlı ve yüksek peak (anlık) güçler üretebilmek için tasarlanmış, Class AB mimarisinde güçlü bir power amplifikatördür.
Teknik Özellikler (Specifications)
- Maksimum Anlık Çıkış Gücü (Peak Power): 1000 Watt Peak @ 2-Ohms Hoparlör
- Maksimum RMS Çıkış Gücü: 500 Watt RMS @ 2-Ohms Hoparlör
- Köprü Modu (Bridged) RMS Gücü: 1000 Watt RMS @ 4-Ohms Hoparlör
- RMS Çıkış Gerilim Değeri: 31.6 V RMS
- Anlık Çıkış Gerilimi (Peak Output Magnitude): 44.7 V Peak
- Frekans Tepkisi (Freq. Response): 20Hz ~ 20kHz
- Maksimum Voltaj Kazancı: 33 dB
- Giriş Hassasiyeti (Input): 707 mV Peak
- Gereken Güç Kaynağı: ±63V DC Simetrik Çift Güç Kaynağı (Dual Supply)
Kullanılan Kritik Yarı İletkenler ve Güç Transistörleri
Devrenin çıkış katında yüksek akım ve güce dayanabilmesi için paralel bağlanmış güçlü transistör kombinasyonları tercih edilmiştir:- NPN Çıkış Transistörleri: 7 Adet paralel MJ15003 (veya alternatif olarak 2SC3858)
- PNP Çıkış Transistörleri: 7 Adet paralel MJ15004 (veya alternatif olarak 2SA1494)
- Sürücü ve Ön Sürücü Katı: MJE340, MJE350, TIP41C ve TIP42C transistörleri ile simetrik yapı desteklenmiştir.
- Giriş Katı (Diferansiyel): BC546B düşük gürültülü transistörler kullanılmıştır.
Kurulum Notları ve Önemli İpuçları (DIY Rehberi)
- Güç Kaynağı Toleransı: Devre ±63V DC besleme ile çalışmaktadır. Voltaj kararlılığı için tolerans payı maksimum %10 civarında olmalıdır. Trafo ve doğrultucu katının akım kapasitesi (Amper) bu güç için oldukça yüksek tutulmalıdır.
- Eşlenik Transistör (Matching): Çıkış katında yer alan Q1 & Q2, Q3 & Q4 ile güç transistörleri (Q5 & Q6) mutlaka aynı hFE (kazanç) değerlerine sahip olacak şekilde eşleştirilerek (matched) seçilmelidir.
- Soğutma ve Güvenlik: Toplam 14 adet güç transistörünün üreteceği ısıyı uzaklaştırmak için devasa bir alüminyum soğutucu blok ve gerekirse fanlı (aktif) soğutma sistemi kullanılmalıdır. Transistörlerin altına kaliteli mika/silikon izolatör koyulmalı ve termal macun ihmal edilmemelidir.
- L01 & LR01 Bobin Yapımı: Çıkışta yer alan L01 bobini için; 0.9 mm çapındaki emaye bakır telden, 0.35 inç (yaklaşık 9 mm) karkas çapı üzerine yan yana 22 tur sarım yapılması gerekmektedir.
- Şasi (Gnd) Bağlantısı: S.GND (Sinyal şasisi) ile P.GND (Güç şasisi) bağlantıları şemada belirtilen kurallara göre ayrılmalıdır. Eğer devre stereo (çift kanal) olarak kurulacaksa, döngü (ground loop) oluşmaması için inter-channel GND pinlerine dikkat edilmelidir.
2. şema pdf
Son düzenleme:
