Bu devre, 90'lı yılların ortalarında popüler olan, yüksek kaliteli ve oldukça güçlü bir Class AB MOSFET amplifikatör tasarımıdır. $\pm70\text{V}$ simetrik besleme ile çalışan bu devre, 8Ohm yükte 200W, 4Ohm yükte ise 350W civarında güç üretebilir.
Şemadaki teknik mimariyi şu şekilde özetleyebilirim:
İngilizce bilgilendirme linki
Şemadaki teknik mimariyi şu şekilde özetleyebilirim:
1. Giriş ve Cascode Katı
Giriş katı, bir sabit akım kaynağı (Q1) tarafından beslenen diferansiyel çift (Q2, Q3) ile başlar.- Cascode Yapısı (Q4, Q5): Besleme voltajı ($70\text{V}$), BC546 transistörlerin dayanım sınırını 65V aştığı için burada cascode konfigürasyonu kullanılmıştır. ZD2 zener diyodu sayesinde giriş transistörleri yüksek voltajdan korunur ve sadece 14.4V civarında bir gerilime maruz kalırlar. Bu durum hem güvenliği artırır hem de yüksek frekans cevabını iyileştirir.
2. Voltaj Amplifikatör Katı (VAS)
VAS katı da diferansiyel bir yapıya (Q6, Q8) sahiptir. Bu, standart tekli VAS tasarımlarına göre daha düşük distorsiyon ve daha iyi bir denge sağlar.- Akım Aynası (Q7, Q9): VAS katı için aktif yük görevi görerek kazancı artırır ve sinyalin simetrik salınımını sağlar.
- Bias Kontrolü (Q10): Bu transistör bir V_be multiplier" (voltaj çoğaltıcı) olarak çalışır. VR1 trimpotu ile çıkış MOSFET'lerinin sükunet akımı (idle current) ayarlanır.
3. Güç Çıkış Katı
Çıkışta paralel bağlanmış dayanıklı lateral MOSFET'ler kullanılmıştır:- Elemanlar: 4 adet 2SK1530 (N-Kanal) ve 4 adet 2SJ201 (P-Kanal).
- Yapı: MOSFET'ler "source-follower" modundadır. Lateral MOSFET'lerin negatif sıcaklık katsayısına sahip olması, onları termal kaçaklara karşı BJT transistörlere göre çok daha güvenli ve stabil kılar.
- Koruma: ZD3 ve ZD4 zener diyotları, MOSFET gate (kapı) uçlarını aşırı voltaj sıçramalarından korur.
4. Kararlılık ve Koruma
- Sigortalar (F1, F2): Besleme hatlarındaki 5A hızlı sigortalar devreyi korur.
- Source Dirençleri 0.33Ohm: Paralel bağlı MOSFET'lerin akımı eşit paylaşmasını sağlar.
Uygulama İçin Teknik Notlar
- Soğutma: 70V altında bu devre ciddi ısı üretecektir. Çok geniş yüzeyli bir alüminyum soğutucu kullanılması şarttır.
- Güç Kaynağı: Bu gücü hakkıyla alabilmek için en az 600VA - 800VA bir trafo ve her kanal için en az 20.000uF kondansatör grubuna ihtiyaç duyulur.
- DC Offset: Devrede DC offset potu bulunmadığı için Q2 ve Q3 transistörlerinin kazançlarının h_FE birbirine çok yakın (eşlenik) seçilmesi ve termal olarak birbirine temas ettirilmesi çıkıştaki DC kaçığı önlemek için önemlidir.
İngilizce bilgilendirme linki
Eklentiler
Son düzenleme:
