Mosfet anfi devreleri

[guclusat]

4 ohm 500W mosfet anfi çalışması

sistem 4ohm da 500W RMS güç vermektedir

2ohm da 620W RMS
4ohm da 500W RMS
8ohm da 380W RMS

güçde çalışmaktadır devrenin orjinal şemasında 8 adet mosfet kullanılmış ve 4ohm 400W yazıyor 2 ohm dada çalışabilmesi için 10 adet mosfet kullandım orjinal transistörleri toshiba 2SK1530 ve 2SJ201 ama fiyat olarak pahalı buldugum için IRFP240 ve IRFP9240 kullandım sonuç ortada

mükemmel çalışıyo ısınma normal hatta çok az sogutucularda uzun süreli çalışma için yeterli

devrenin baskı devresini kendim çizdim alıntı DEĞİL

ben ne ölçdüysem onu yazdım açık alanda iki adett 1600W 8ohm orkestra kabinleriyle 1 saat kadar denedim profesyonal sistemleri aratmadı denemenin fotorafları yok keşke çekseymişim ama başka zaman tekrar toplar koyarım

beyler hepimiz biliyoruz ki 2 tane 4 tane mosfetle 100W trafoyla iki tane kondansatörle 500W 1000W anfi olmaz ben sitede birçok örnegine rasladım gerçek palavra sıkmakdansa gerçek gücü yazalım ben yaptıgım sistemi kabinlerden başka haporlörle denemeye korkuyorum işde 500W böyle bi güç

 

[guclusat]

Efsane Tasarım: Holton 400W MOSFET Anfi Devre Şeması (Yüksek Güç & Stabilite)

Merhaba değerli üyelerimiz,

Bugün sizlerle ses dünyasının tanınmış isimlerinden Anthony E. Holton tarafından revize edilen, yüksek performanslı ve oldukça güçlü bir MOSFET amplifikatör şemasını paylaşıyoruz. Bu devre, özellikle yüksek güç çıkışı ve düşük distorsiyon arayan hifi meraklıları ile profesyonel ses uygulamaları için tasarlanmıştır.

Devrenin Öne Çıkan Teknik Detayları:

• Çıkış Gücü: Besleme voltajına bağlı olarak kanal başına yaklaşık 400 Watt güç üretebilmektedir.
• Besleme Voltajı: Devre 70V DC simetrik besleme ile çalışmaktadır.
• Çıkış Katı: Tasarımda yüksek akım kapasitesine sahip 2SK1530 ve 2SJ201 (veya modifikasyonla IRFP240 / IRFP9240) MOSFET çiftleri paralel kullanılarak yük altına binme kapasitesi artırılmıştır.
• Vbe Çoğaltıcı (Bias Kontrolü): Şemada belirtildiği üzere MJE340 (Q10) transistörü soğutucu üzerine monte edilerek sıcaklığa bağlı bias dengesi korunmaktadır.
• Giriş Katı: Diferansiyel giriş yapısı sayesinde gürültü oranı minimuma indirilmiştir.

Kritik Notlar:

• Çıkış MOSFET'lerinin mutlaka geniş yüzeyli soğutuculara izoleli bir şekilde bağlanması gerekir.
• Besleme katında kullanılacak trafo gücü ve kondansatör kapasitesi (en az 10.000uF önerilir), amfinin gerçek performansını sergilemesi için kritiktir.
• Şemadaki F1 ve F2 (5 Amper) sigortaları güvenlik için ihmal edilmemelidir.