ASELSAN'dan kritik bir adıma daha imza atarak Milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörü üretilecek...
EN KRİTİK TEKNOLOJİ
'Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme süreci 2014'te tamamlanacak. Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.
MALZEME ÜRETİMİNE BAŞLANACAK
ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı. Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi. Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.
ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti. Bilkent üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.
2016 YILI BEKLENİYOR
ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener de bu ürünün dünyada 4 ülkede üretildiğini, ancak satışının sınırlı ve izine tabi olduğunu belirtti. Şener, ABD'den bir miktar malzeme alınabildiğini, üstünün sınırlı olarak bile verilmediğini belirterek, Avrupa'da bazı fabrikaların üretime başladığını, ancak kalitesinin nasıl olduğunun henüz belirlenmediğini söyledi.
Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkat çeken Şener, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.
ÖZBAY KONU İLE İLGİLİ OLARAK AÇIKLAMA YAPTI
Bilkent Üniversitesi NANOTAM Direktörü Prof. Dr. Ekmel Özbay da 10 yıl süren çalışmalar sonucunda Türkiye'de GaN teknolojisinin geliştirildiğini belirterek, artık bu teknolojinin ticari olarak kullanılacak aşamaya geldiğini vurguladı. Özbay, bu teknoloji ile yüksek güçlü GaN nanotransistörleri ve nanofabrikasyon malzeme üretileceğini söyledi.
GaN TEKNOLOJİSİ NEDİR?
Alınan bilgilere göre, GaN teknolojisi fiziksel özellikleri nedeniyle son yıllarda tüm dünyada üstünde yoğun çalışmalar yapılan yeni bir yarı iletken malzeme. GaN teknolojisinin hem sivil hem de askeri bir çok alanda kullanılması hedefleniyor.
Bu konudaki yatırımlarla, radar, uydu aktarıcı, karıştırıcı ve yeni nesil cep telefonu sistemlerinde uygulama alanı bulması beklenen ve savunma sanayi alanında sağladığı kritik avantajlar nedeniyle ihracat izni sorunları yaşanan GaN teknolojisine dayalı ürünlerin milli imkanlarla üretilmesi sağlanmış olacak.
GaN teknolojisine hakim olunması ile özellikle radarların önemli bir parçası olan güç transistörleri yarı büyüklükte ve 5 kat daha güçlü olacak.
EN KRİTİK TEKNOLOJİ
'Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme süreci 2014'te tamamlanacak. Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.
MALZEME ÜRETİMİNE BAŞLANACAK
ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı. Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi. Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi.
ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti. Bilkent üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.
2016 YILI BEKLENİYOR
ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener de bu ürünün dünyada 4 ülkede üretildiğini, ancak satışının sınırlı ve izine tabi olduğunu belirtti. Şener, ABD'den bir miktar malzeme alınabildiğini, üstünün sınırlı olarak bile verilmediğini belirterek, Avrupa'da bazı fabrikaların üretime başladığını, ancak kalitesinin nasıl olduğunun henüz belirlenmediğini söyledi.
Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkat çeken Şener, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.
ÖZBAY KONU İLE İLGİLİ OLARAK AÇIKLAMA YAPTI
Bilkent Üniversitesi NANOTAM Direktörü Prof. Dr. Ekmel Özbay da 10 yıl süren çalışmalar sonucunda Türkiye'de GaN teknolojisinin geliştirildiğini belirterek, artık bu teknolojinin ticari olarak kullanılacak aşamaya geldiğini vurguladı. Özbay, bu teknoloji ile yüksek güçlü GaN nanotransistörleri ve nanofabrikasyon malzeme üretileceğini söyledi.
GaN TEKNOLOJİSİ NEDİR?
Alınan bilgilere göre, GaN teknolojisi fiziksel özellikleri nedeniyle son yıllarda tüm dünyada üstünde yoğun çalışmalar yapılan yeni bir yarı iletken malzeme. GaN teknolojisinin hem sivil hem de askeri bir çok alanda kullanılması hedefleniyor.
Bu konudaki yatırımlarla, radar, uydu aktarıcı, karıştırıcı ve yeni nesil cep telefonu sistemlerinde uygulama alanı bulması beklenen ve savunma sanayi alanında sağladığı kritik avantajlar nedeniyle ihracat izni sorunları yaşanan GaN teknolojisine dayalı ürünlerin milli imkanlarla üretilmesi sağlanmış olacak.
GaN teknolojisine hakim olunması ile özellikle radarların önemli bir parçası olan güç transistörleri yarı büyüklükte ve 5 kat daha güçlü olacak.