Alman fizikçi Walter H. Schottky tarafından yarı iletken teknolojisi ile birlikte bulunan Schottky diyodu, güç elektroniği elemanı olarak bilinirken aynı zamanda sıcaklık taşıyıcı diyot olarak da bilinir. Düşük seviyede ileri gerilim düşümü ve çok hızlı anahtarlama gibi kabiliyetleri bu tür diyodu diğer diyotlardan ayırıcı bir özellik haline getirir. İlk olarakdoğrultucu bir devrede güç elemanı olarak kullanılmıştır.
Silikon diyotlarda üzerinden akım geçerken diyot üzerine düşen gerilim 0.6V – 1.7V arasında değişirken, Schottky diyotlarda ise bu gerilim değeri yaklaşık olarak 0.15V – 0.45V arasında değişir. Bu sayede çok daha hızlı bir anahtarlama sağlanırken sistemin verimi de aynı oranda bir artış gösterir. Bu elemanlar doğru polarmada 0.25 volt değeriyle bile iletime geçebilirler.
Çalışma prensipleri genel olarak normal diyotlar ile büyük oranda benzerlik gösterir. Güç kayıpları çok az olmasına rağmen gerilim ve akım değerleri normal ve hızlı diyotlara göre daha düşüktür. Dezavantaj olarak ise normal diyotlardan daha fazla ters yönde akım geçirmesi söylenebilir.
Silikon diyotlarda üzerinden akım geçerken diyot üzerine düşen gerilim 0.6V – 1.7V arasında değişirken, Schottky diyotlarda ise bu gerilim değeri yaklaşık olarak 0.15V – 0.45V arasında değişir. Bu sayede çok daha hızlı bir anahtarlama sağlanırken sistemin verimi de aynı oranda bir artış gösterir. Bu elemanlar doğru polarmada 0.25 volt değeriyle bile iletime geçebilirler.
Çalışma prensipleri genel olarak normal diyotlar ile büyük oranda benzerlik gösterir. Güç kayıpları çok az olmasına rağmen gerilim ve akım değerleri normal ve hızlı diyotlara göre daha düşüktür. Dezavantaj olarak ise normal diyotlardan daha fazla ters yönde akım geçirmesi söylenebilir.